• yp电子

    yp电子科技第三代高性能高可靠的旗舰芯片,采用全国产自研的S-FSK技术,性能全面超越主流技术方案,适合高可靠性、高连接密度、强抗干扰场景。

    • 国际首创S-FSK技术

      通信链路预算大幅提升 动态自适应传输速率

    • 军工级安全防护

      支持物理层专有水印 抗干扰能力提升传输稳定性

    • 并发容量革命性突破

      结合码分多址与NOMA技术 容量同比国际主流提升4~6倍

    象芯三号 TP6300 芯片

    接收灵敏度 速率(kbps) 复用倍数(#/信道) 最大链路预算
    -140dBm
    @0.2kbps
    0.2~30
    4~6
    160dB
    抗干扰 (干信比) 休眠功耗 链路安全性 最大发射功率
    15
    <2uA
    物理层水印
    22dBm

    TP6300 芯片架构及指标

    类型 参数 类型 参数
    频段
    sub1G
    带宽
    15K~250KHZ
    双工模式
    TDD半双工
    最大发射功率
    22dBm
    天线数
    单天线
    连接密度(#/信道)
    4~6
    调制
    S-FSK
    扩频
    SIMS扩频
    符号级联合解调解扩频
    扩频因子SF≤10
    物理层认证
    插入及检测认证级水印
    抗干扰能力 (干信比dB)
    15
    灵敏度
    140dBm@ 0.2kbps 139dBm@ 0.5kbps
    136dBm@ 0.8kbps 133dBm@ 1.9kbps
    130dBm@ 3kbps 127dBm@ 6kbps
    124dBm@ 12kbps 121dBm@ 20kbps
    118dBm@ 30kbps

    TP6300 芯片未来能力演进路线

    类型 参数 类型 参数
    接收灵敏度
    -150dBm@0.1kbps
    最大速率(kbps)
    400
    码分复用(#/信道)
    8 ~ 16倍
    频段
    Sub-1G / 2.4GHz
    抗干扰能力
    (干信比dB)
    25
    休眠功耗
    < 1uA
    链路安全性
    物理层安全
    网络
    移动组网

    TP6300 芯片采用 S-FSK 技术

    SIMS扩频+FSK调制

    高性能:-150dBm
    低复杂度:极简TX

    超强抗干扰能力

    扩频增益7~25dB
    抗干扰能力达20dB以上

    异步并发能力

    准正交低同步要求
    多码本的码分并发

    轻量化安全能力

    专用安全码本
    物理层安全

    S-FSK: SIMS-FSK / Super-FSK 原理简介

    S-FSK技术通过块级扩频与索引调制的结合,解决了传统逐符号传输在极低信噪比(SNR)和高能耗限制下的同步难题。为LPWAN提供了高灵敏度、低功耗、可扩展的新物理层范式。相关技术论文稿件已公开在  https://arxiv.org/pdf/2511.20364

    S-FSK 数学原理一览

    单用户仿真

    AWGN 信道下 SIMS、CSS、MFSK 的 BER 对比

    SIMS 在 AWGN 信道中,可通过提升 SF 缩小与传统方案的 BER 差距,且能获得稳定的扩频增益。

    小尺度衰落的频率选择性信道下三种方案的BER对比

    在该信道环境下,SIMS 的准正交序列设计使其抗干扰能力优于 CSS 和 MFSK,能获得更显著的性能增益。

    码分复用性能仿真

    AWGN 信道下多用户 SIMS 的 BER

    SIMS 通过提升 SF 可有效抑制多用户干扰,在 AWGN 信道中具备良好的多用户扩展性。

    瑞利衰落信道下多用户 SIMS 的 BER

    在衰落信道中,大 SF 下的 SIMS 能实现近似单用户的多用户传输性能,多用户干扰抑制效果显著,适配 LPWAN 多用户场景需求。

    滚动至顶部